High power TVS
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Wafer NO.
Type
DIE Size(um)
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR(1mA)
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名稱
類型
單科芯片大小
劃片槽
芯片尺寸
數量/片
頂層金屬
焊盤尺寸
減薄厚度
背面金屬
工作電壓
擊穿電壓
電容
電流(8/20)
箝位電壓

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